Динамика осаждения и удаления фторуглеродной пленки в циклическом процессе плазмохимического травления кремния
- Авторы: Морозов О.В.1
-
Учреждения:
- Ярославский Филиал Федерального государственного бюджетного учреждения науки “Физико-технологического института имени К. А. Валиева Российской академии наук”
- Выпуск: Том 88, № 4 (2024)
- Страницы: 531-537
- Раздел: Взаимодействие ионов с поверхностью
- URL: https://rjeid.com/0367-6765/article/view/654697
- DOI: https://doi.org/10.31857/S0367676524040027
- EDN: https://elibrary.ru/QITUXF
- ID: 654697
Цитировать
Аннотация
Проведены in situ измерения динамики осаждения и травления фторуглеродной пленки (ФУП) в циклическом процессе плазмохимического травления кремния с помощью лазерного интерферометра. Прямые измерения скоростей осаждения и травления, а также времени травления ФУП открывают новые возможности для оптимизации циклической процедуры травления. Например, регулировка времени травления ФУП позволяет улучшить селективность процесса травления.
Полный текст

Об авторах
О. В. Морозов
Ярославский Филиал Федерального государственного бюджетного учреждения науки “Физико-технологического института имени К. А. Валиева Российской академии наук”
Автор, ответственный за переписку.
Email: moleg1967@yandex.ru
Россия, Ярославль
Список литературы
- Wu B., Kumar A., Pamarthy S. // J. Appl. Phys. 2010 V. 108. No. 5. Art. No. 051101.
- Abdolvand R., Ayazi F. // Sens. Actuators. A Phys. 2008 V. 144. No. 1. P. 109.
- Chang B., Leussink P., Jensen F. et al. // Microelectron. Eng. 2018. V. 191. P. 77.
- Lips B. Puers R. // J. Phys. Conf. Ser. 2016. V. 757. Art. No. 012005.
- Gerlt M.S., Läubli N.F., Manser M. et al. // Micromachines. 2021. V. 12. No. 5. P. 542.
- Lin P., Xie X., Wang Y. et al. // Microsyst. Technol. 2019. V. 25. P. 2693.
- Meng L. Yan J. // Appl. Phys. A. 2014. V. 117. P. 1771.
- Meng L. Yan J. // Micromech. Microeng. 2015. V. 25. Art. No. 035024.
- Руденко К.В., Мяконьких А.В., Орликовский А.А. // Микроэлектроника. 2007. Т. 36. № 3. С. 206. Rudenko K.V., Myakon’kikh A.V., Orlikovsky A.A. // Russ. Microelectron. 2007. V. 36. No. 3. P. 179.
- Морозов О.В., Амиров И.И. // Микроэлектроника. 2007. Т. 36. № 5. С. 380. Morozov O.V., Amirov I.I. // Russ. Microelectron. 2007. Т. 36. No. 5. С. 333.
- Lai L., Johnson D., Westerman R. // J. Vac. Sci. Technol. A. 2006. V. 24. P. 1283.
- Saraf I.R., Goeckner M.J., Goodlin B.E. et.al. // J. Vac. Sci. Technol. B. 2013. V. 31. Art. No. 011208.
- Oehrlein G.S., Reimanis I., Lee Y.H. // Thin Solid Films. 1986. V. 143. No. 3. P. 269.
- Амиров И.И., Алов Н.В. // Хим. высок. энергий. 2006. Т. 40. № 4. С. 311. Amirov I.I., Alov N.V. // High Energy Chem. 2006. V. 40. No. 4. P. 267.
- Amirov I.I., Gorlachev E.S., Mazaletskiy L.A. et al. // J. Phys. D. Appl. Phys. 2018. V. 51. No. 11. P. 267.
- Xu T., Tao Z., Li H. et al. // Adv. Mech. Eng. 2017. V. 9. No. 12. P. 1.
Дополнительные файлы
Доп. файлы
Действие
1.
JATS XML
2.
Рис. 1. Составные части индукционного источника плазмы (1–6), реакционной камеры (7–13), и лазерного интерферометра (14–19): 1 – система ввода реакционных газов; 2 – кварцевая колба; 3 – индуктор; 4 – ВЧ-генератор к индуктору; 5 – металлический экран потенциала электромагнитного поля индуктора; 6 – кольцевой электромагнит; 7 – нагреваемый экран в реакционной камере; 8 – водоохлаждаемый электрод; 9 – держатель пластин; 10 – механические прижимы держателя пластин к электроду; 11 – система поддержания избыточного давления He в зазоре между 8 и 9; 12 – ВЧ-генератор к электроду (Wbias); 13 – система откачки; 14 – He-Ne лазер (λ=633 нм); 15 – светоделительная пластина; 16 – фотоприемник опорного луча; 17 – интерференционный фильтр (λ=633 нм); 18 – фотоприемник измерительного луча; 19 – оптическое окно (плавленый кварц).
Скачать (167KB)
3.
Рис. 2. Характерный сигнал интерферометра I(t), полученный за 55 циклов TMDSE (глобальный минимум и максимум зависимости I(t) отражают уменьшение толщины пленки SiO2 при ее травлении в целом на величину Δh=107 нм) (а); сигнал интерферометра в течение одного цикла TMDSE на разных интервалах общей зависимости I(t) и динамика переключения потока газов SF6 и C4F8 (б).
Скачать (191KB)
4.
Рис. 3. Результаты вычисления скоростей осаждения и травления в одном цикле для трех процессов TMDSE при параметре QSF6 равном: 1 – 12 нсм3/мин, 2 – 10 нсм3/мин, 3 – 8 нсм3/мин.
Скачать (132KB)
5.
Рис. 4. СЭМ изображения канавок, после проведения 300 циклов TMDSE (tbias=3 с) при параметре QSF6 равном: 10 нсм3/мин (глубина канавки 298 мкм) (а), 8 нсм3/мин (глубина канавки 296 мкм) (б), 8 нсм3/мин (глубина канавки 227 мкм) (в).
Скачать (344KB)
