Отправить статью по E-mail 
Плазмохимическое и реактивно-ионное травление арсенида галлия в среде дифтордихлорметана с гелием
- Авторы: Мурин Д.Б.1, Чесноков И.А.1, Гогулев И.А.1, Анохин А.Л.1, Молоскин А.Е.1
-
Учреждения:
- Ивановский государственный химико-технологический университет
- Выпуск: Том 53, № 4 (2024)
- Страницы: 346-352
- Раздел: ТЕХНОЛОГИИ
- URL: https://rjeid.com/0544-1269/article/view/655219
- DOI: https://doi.org/10.31857/S0544126924040078
- ID: 655219
Цитировать
Полный текст
Открытый доступ
Доступ предоставлен
Доступ платный или только для подписчиков
Аннотация
Экспериментально исследована кинетика взаимодействия высокочастотной плазмы дифтордихлорметана и его смеси с гелием, поверхностью арсенида галлия. Установлено, что в исследованном диапазоне условий происходит полное разложение исходной молекулы дифтордихлорметана до атомарного углерода. Подтверждено, что основными химически активными частицами, обеспечивающими травление, являются химически активные атомы хлора. Показано, что процесс травления протекает в режиме ионно-стимулированной химической реакции, где существенную роль в очистке поверхности играет десорбция продуктов под действием ионной бомбардировки. Проанализированы эмиссионные спектры излучения плазмы в присутствии полупроводниковой пластины арсенида галлия. Выбраны контрольные линии и полосы для контроля скорости процесса травления по интенсивности излучения линий и полос продуктов травления.
Ключевые слова
Полный текст
Об авторах
Д. Б. Мурин
Ивановский государственный химико-технологический университет
Автор, ответственный за переписку.
Email: dim86@mail.ru
Россия, Иваново
И. А. Чесноков
Ивановский государственный химико-технологический университет
Email: dim86@mail.ru
Россия, Иваново
И. А. Гогулев
Ивановский государственный химико-технологический университет
Email: dim86@mail.ru
Россия, Иваново
А. Л. Анохин
Ивановский государственный химико-технологический университет
Email: dim86@mail.ru
Россия, Иваново
А. Е. Молоскин
Ивановский государственный химико-технологический университет
Email: dim86@mail.ru
Россия, Иваново
Список литературы
- Данилин Б.С., Киреев В.Ю. Применение низкотемпературной плазмы для травления и очистки материалов. Москва: Энергоатомиздат, 1987. C. 264.
- Дунаев А.В., Ситанов Д.В., Мурин Д.Б. Закономерности взаимодействия меди с хлорсодержащими газами // Химия высоких энергий. 2017. Т. 51. № 3. С. 239–243.
- Franz G., Kelp A., Messerer P. Analysis of chlorine-containing plasmas applied in III/V semiconductor processing // J. Vac. Sci. Technol. 2000. V. 18. № 5. P. 2053–2061.
- Ibbotson D.E. Plasma and gaseous etching of compounds of Groups III–V // Pure and Appl. Chem. 1988. V. 60. № 5. P. 703–708.
- Ефремов А.М., Светцов В.И., Пивоваренок С.А., Дунаев А.В. Кинетика травления GaAs в хлорной плазме // Изв ВУЗов. Химия и хим. технология. 2010. Т. 53. Вып. 5. С. 53–56.
- Grigonis A. The surface composition of GaAs affected by reactive plasma // Surf. Coat. Technol. 1998, V. 110. № 1–2. P. 31–34.
- Ефремов А.М., Мурин Д.Б., Левенцов А.Е. Кинетика и режимы плазмохимического травления GaAs в условиях индукционного ВЧ разряда в CF2Cl2 // Микроэлектроника. 2014. Т. 43. № 6. С. 429–434.
- Pearse R.W.B., Gaydon A.G. The identification of molecular spectra. Fourth edition. New York: John Wiley & Sons, inc. 1976. P. 407.
- Стриганов А.Р., Свентицкий Н.С. Таблицы спектральных линий нейтральных и ионизированных атомов. Москва: Атомиздат., 1966. C. 899.
- Wang Y. F., Lee W.J., Chen C.Y. Reaction Mechanisms in Both a CCl2F2/O2/Ar and a CCl2F2/H2/Ar RF Plasma Environment // Plasma Chem. and Plasma Proces. V. 20. No 4. 2000. P. 469–494.
- Stoffels W. W., Stoffels E., Haverlag M. The chemistry of a CCl2F2 radio frequency discharge // J. Vac. Sci. Technol. A. V. 13. No 4. 1995. P. 2058–2066.
- Glauco F. Bauerfeldt and Graciela Arbilla. Kinetic analysis of the chemical processes in the decomposition of gaseous dielectrics by a non-equilibrium plasma — Part 1: CF4 and CF4/O2// J. Braz. Chem. Soc. 2000. V. 11. No. 2. P. 121.
- Efremov A. M., Kim D.P., Kim C.I. Effect of gas mixing ratio on gas-phase composition and etch rate in an inductively coupled CF4/Ar plasma // Vacuum. 2004. V. 75. № 2. P. 133–142.
- Zhang D., Kushner M.J. Mechanisms for CF2 radical generation and loss on surfaces in fluorocarbon plasmas // Journal of Vacuum Science & Technology A.: Vacuum, Surfaces, and Films. 2000. V. 18. № 6. P. 2661–2668.
- Пивоваренок С.А., Дунаев А.В., Мурин Д.Б. Кинетика взаимодействия высокочастотного разряда CCl2F2 с арсенидом галлия // Микроэлектроника. 2016. Т. 45. № 5. С. 374–378.
Дополнительные файлы
