Микроструктура островковых пленок Al на Si(111) при магнетронном напылении: влияние температуры подложки

Обложка

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

Представлены результаты структурных исследований островковых пленок Al толщиной 20–50 нм, сформированных магнетронным распылением на подложках Si(111) в среде аргона при давлении 6⋅10–3 мбар и температуре от 20 до 500°C. Исследования морфологии и микроструктуры пленок проведены методами XRD, SEM, EDS и TEM. Установлено, что большинство островков представляют собой кристаллиты Al {001} и Al {111} с размерами 10–100 нм, по-разному сопряженными с Si(111). При комнатной температуре подложки на ней эпитаксиально формируются только кристаллиты Al {001}. Эпитаксиальный рост кристаллитов Al {111} начинает преобладать с увеличением температуры подложки выше 400°C. Показано влияние температуры подложки Si(111) на процесс эпитаксии кристаллитов, динамику их формы и структурное совершенство. Установлено, что эпитаксиально связанные с подложкой кристаллиты испытывают для Al {001} и Al {111} деформацию ε = 7⋅10–3 и ε = –2⋅10–3 соответственно. Показано, что в островковых пленках Al на Si(111) зависимость количества центров кристаллизации и скорость роста частиц от температуры переохлаждения согласуются с Зонной моделью кристаллизации. В то же время наблюдается смещение характерных температур для границ зон из-за свойств подложки. Это надо учитывать при инженерии морфологии поверхности и структурного совершенства кристаллитов в островковых магнетронных пленках Al.

Полный текст

Доступ закрыт

Об авторах

А. А. Ломов

Физико-технологический институт им. К.А. Валиева Российской академии наук

Автор, ответственный за переписку.
Email: apbblinov@yandex.ru
Россия, Москва

Д. М. Захаров

Физико-технологический институт им. К.А. Валиева Российской академии наук

Email: apbblinov@yandex.ru
Россия, Москва

М. А. Тарасов

Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук

Email: apbblinov@yandex.ru
Россия, Москва

А. М. Чекушкин

Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук

Email: apbblinov@yandex.ru
Россия, Москва

А. А. Татаринцев

Физико-технологический институт им. К.А. Валиева Российской академии наук

Email: apbblinov@yandex.ru
Россия, Москва

А. Л. Васильев

НИЦ “Курчатовский институт”

Email: apbblinov@yandex.ru
Россия, Москва

Список литературы

  1. Ж.И. Алферов. УФН, 172, 1068. 2002. doi: 10.3367/UFNr.0172.200209e.1068
  2. S. Saini, P. Ashok, A. Verma. Appl. Phys. Lett., 124, 011105. 2024. doi: 10.1063/5.0175803
  3. G. Hass, M.H. Francombe, J.L. Vossen. Physics of Thin Films. Advances in Research and Development. (Academic Press, NY, USA. 1982.
  4. B.S. Sunil, P. Bellanger, S. Roques, A. Slaoui, A.G. Ulyashin, C. Leuvrey, A.R. Bjorge. 2016 International Renewable and Sustainable Energy Conference (IRSEC). Marrakech, Morocco. 2016. P. 214–219. doi: 10.1109/IRSEC.2016.7983910
  5. W.-S. Liao, Si-Ch. Lee. J. Appl. Phys., 81, 7793. 1997. doi: 10.1063/1.365389
  6. U. Barajas-Valdes, O. Marcelo Suárez. Crystals, 11(5), 492. 2021. doi: 10.3390/cryst11050492
  7. T. Greibe, M. Stenberg, C. Wilson, T. Bauch, V. Shumeiko, P. Delsing. Phys. Rev. Lett., 106, 097001. 2011.
  8. M. Tarasov, L. Kuzmin, N. Kaurova. Instrum. Exp. Tech., 52(6), 877. 2009. doi: 10.1134/S0020441209060220
  9. L. Olausson, P. Olausson, E. Lind. Appl. Phys. Lett., 124, 042601. 2024. doi: 10.1063/5.0182485
  10. I.E. Merkulova. J. Phys.: Conf. Ser., 2119, 012121. 2021. doi: 10.1088/1742-6596/2119/1/012121
  11. S.E. Booth, C.D. Marsh, Kanad Mallik, V. Baranauskas, J.M. Sykes, P R. Wilshaw. J. Vac. Sci. Technol. B, 21, 316. 2003. doi: 10.1116/1.1532025
  12. E.A. Khramtsova, A.V. Zotov, A.A. Saranin, S.V. Ryzhkov, A.B. Chub, V.G. Lifshits. Appl. Surf. Sci., 82/83, 576. 1994. doi: 10.1016/0169-4332(94)90278-X
  13. C. Grupp, A. Taleb-Ibrahimi. J. Vac. Sci. Technol. A, 16, 2683. 1998. doi: 10.1116/1.581400
  14. I.V. Markov. Crystal Growth for beginners. 2nd Ed. World Scientific Publishing Co. Pte.Ltd., New Jersey, London, Singapure. 2003.
  15. C. Eisenmenger-Sittner. Growth Control and Thickness Measurement of Thin Films, Encyclopedia of Applied Physics. Wiley-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA. 2019. doi: 10.1002/3527600434.eap809
  16. A.A. Lomov, D.M. Zakharov, M.A. Tarasov, A.M. Chekushkin, A.A. Tatarintsev, D.A. Kiselev, T.S. Ilyina, A.E. Seleznev. Tech. Phy., 68(7), 833. 2023. doi: 10.61011/TP.2023.07.56624.83-23
  17. J.M. Poate, K.N. Tu, J.W. Mayer. Thin Films–Interdiffusion and Reactions. John Wiley and Sons, Inc. New York, Chichester, Toronto. 1978.
  18. R.E. Reed-Hill. Physical Metallurgy Principles. 2-nd Edition. Van Nostrand, New York, USA. 1981.
  19. A.W. Fortuin, P.F.A. Alkemade, A.H. Verbruggen, A.J. Steinfort, H. Zandbergen, S. Radelaar. Surface Science, 366(2), 285. 1996. doi: 10.1016/0039-6028(96)00824-2
  20. K. Barmak, K. Coffey. Metallic films for electronic, optical and magnetic applications. Woodhead Publishing Lim., Cambridge, UK. 2013.
  21. А.Е. Лейкин, Б.И. Родин. Материаловедение. Высшая школа, М. 1971.
  22. B.A. Movchan, and A.V. Demchishin. Phys. Met. Metallogr. 28, 83. 1969.
  23. M. Ohring. Materials Science of Thin Films. Deposition and Structure. Academic Press, Hoboken, NJ, USA. 2002.
  24. André Anders. Thin Solid Films, 518(15), 4087. 2010. doi: 10.1016/j.tsf.2009.10.145
  25. J.A. Thornton. Ann. Rev. Mater. Sci., 7, 239. 1977. doi: 10.1146/annurev.ms.07.080177.001323
  26. N. Kaiser. Appl. Opt., 41(16), 3053. 2002. doi: 10.1364/AO.41.003053
  27. C. D’Anterroches. Microscopy of Semiconducting Materials 1983, Third Oxford Conference on Microscopy of Semiconducting Materials. St Cathernine’s College, Oxford, 1983. P. 95. doi: 10.1201/9781003069614
  28. M.-A. Hasan, G. Radnoczi, J.-E. Sundgren. Vacuum, 41(4–6), 11221. 1990. doi: 10.1016/0042–207X(90)93886-N
  29. S.C. Tjong, H. Chen. Mater. Sci. and Eng.: R, 45(1), 1. 2004. doi: 10.1016/j.mser.2004.07.001
  30. H.J. Wen, M. Dahne-Prietsch, A. Bauer, M.T. Cuberes, I. Manke, G. Kaindl. J. Vac. Sci. Techn. A, 13, 2399. 1995. doi: 10.1116/1.579480
  31. M. Sosnowski, S. Ramac, W.L. Brown, Y.O. Kim. Appl. Phys. Lett., 65, 2943. 1994. doi: 10.1063/1.112541
  32. P.N.H. Nakashima. The Crystallography of Aluminum and Its Alloys in Encyclopedia of Aluminum and Its Alloys ed. by G.E. Totten, M Tiryakioğlu, O. Kessler. Boca Raton: CRC Press, 2018. P. 488–586. doi: 10.1201/9781351045636-140000245
  33. Y. Horio. Jpn. J. Appl. Phys., 38, 4881. 1999. doi: 10.1143/JJAP.38.4881

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML
2. Рис. 1. SEM изображения поверхности магнетронных пленок Al со средней толщиной 20–50 нм, сформированных при стационарном режиме на подложке Si(111) при температуре: 20 (a), 200 (б), 400 (в) и 500°C (г). Буквами B, L и S (в) отмечены кристаллиты с характерными размерами

3. Рис. 2. Распределение числа N(ρ) островков Al на подложке Si(111) от величины радиуса ρ круга с площадью, равной площади островка на SEM изображении

Скачать (201KB)
4. Рис. 3. Дифрактограммы от тонких островковых пленок Al/Si(111), распыленных при разных температурах подложки: 20°C (a), 200°C (б), 400°C (в) и 500°C (г). (1) — без точной настройки подложки Si(111), (2) — с точной настройкой подложки Si(111). На вставках показано моделирование пика 002 отражения двумя кривыми Фойгта при 2θ = 44.55° (3) и 44.85° (4). CuKα излучение

Скачать (753KB)
5. Рис. 4. Схема ПЭМ эксперимента (a), cветлопольное ПЭМ изображение “в плане” пленки Al (образец TA6–3) (б) и ее электронограмма (в)

Скачать (474KB)
6. Рис. 5. (а) Светлопольные STEM изображения высокого разрешения поперечных срезов островковой пленки Al толщиной 23 нм на подложке Si(111) (рост при 400°C): (a) островок Al c ориентацией [001] вдоль [111] нормали к поверхности подложки; (б) островок Al c ориентацией [111] вдоль [111] нормали к поверхности подложки. Справа на вставках приведены двумерные спектры Фурье от соответствующих кристаллических решеток островков Al (сверху) и подложки (снизу)

Скачать (684KB)

© Российская академия наук, 2024