Porogovaya fotogeneratsiya bieksitonov v nanokristallakh na osnove pryamozonnykh poluprovodnikov

Cover Page

Cite item

Full Text

Open Access Open Access
Restricted Access Access granted
Restricted Access Subscription or Fee Access

Abstract

Рассмотрен процесс создания двух электронно-дырочных пар (биэкситона) в нанокристалле на основе прямозонного полупроводника с невырожденной зоной проводимости за счет поглощения одного фотона с энергией, равной удвоенной ширине энергетической щели нанокристалла. Показано, что процесс может идти только при наличии межэлектронного взаимодействия и взаимодействия электронов с полем кристаллической решетки. Рассчитана скорость процесса, которая оказывается сильно зависящей от размера нанокристалла.

About the authors

S. A Fomichev

Нижегородский государственный университет им. Н.И.Лобачевского

Н.Новгород, Россия

V. A Burdov

Нижегородский государственный университет им. Н.И.Лобачевского

Email: burdov@phys.unn.ru
Н.Новгород, Россия

References

  1. A.R. Beattie, J. Phys. Chem. Solids 24, 1049 (1962).
  2. E.O. Kane, Phys. Rev. 159, 624 (1967).
  3. C. L. Anderson and C.R. Crowell, Phys. Rev. B 5, 2267 (1972).
  4. R.C. Alig and S. Bloom, Phys. Rev. Lett. 35, 1522 (1975).
  5. J. Bude and K. Hess, J. Appl. Phys. 72, 3554 (1992).
  6. O. Christensen, J. Appl. Phys. 47, 689 (1976).
  7. S. Kolodinski, J.H. Werner, T. Wittchen, and H. J. Queisser, Appl. Phys. Lett. 63, 2405 (1993).
  8. M. Wolf, R. Brendel, J.H. Werner, and H. J. Queisser, J. Appl. Phys. 83, 4213 (1998).
  9. K. Hyeon-Deuk and O.V. Prezhdo, J. Phys.: Condens. Matter 24, 363201 (2012).
  10. V. I. Klimov, Annu. Rev. Condens. Matter Phys. 5, 285 (2014).
  11. I. Marri and S. Ossicini, Nanoscale 13, 12119 (2021).
  12. C. Melnychuk and P. Guyot-Sionnest, Chem. Rev. 121, 2325 (2021).
  13. M.C. Beard, A.G. Midgett, M.C. Hanna, J.M. Luther, B.K. Hughes, and A. J. Nozik, Nano Lett. 10, 3019 (2010).
  14. R.D. Schaller and V. I. Klimov, Phys. Rev. Lett. 92, 186601 (2004).
  15. M.C. Beard, K.P. Knutsen, P. Yu, J.M. Luther, Q. Song, W.K. Metzger, R. J. Ellingson, and A. J. Nozik, Nano Lett. 7, 2506 (2007).
  16. R.D. Schaller, V.M. Agranovich, and V. I. Klimov, Nat. Phys. 1, 189 (2005).
  17. V. I. Rupasov and V. I. Klimov, Phys. Rev. B 76, 125321 (2007).
  18. S.A. Fomichev and V.A. Burdov, J. Chem. Phys. 160, 234301 (2024).
  19. В.А. Бурдов, ЖЭТФ 121, 480 (2002).
  20. J.R. Chelikowsky and M. L. Cohen, Phys. Rev. B 14, 556 (1976).
  21. P.Y. Yu and M. Cardona, Fundamentals of Semiconductors, Springer-Verlag Berlin Heidelberg (2010).
  22. P. Lawaetz, Phys. Rev. B 4, 3460 (1971).
  23. M. L. Cohen and T.K. Bergstresser, Phys. Rev. 141, 789 (1966).
  24. V.A. Belyakov, V.A. Burdov, R. Lockwood, and A. Meldrum, Adv. Opt. Tech. 2008, 279502 (2008).

Supplementary files

Supplementary Files
Action
1. JATS XML
Download

Copyright (c) 2024 Российская академия наук