Influence of magnetic field on the surface structure and properties of germanium single crystals
- Autores: Marinicheva K.A.1, Ivanova A.I.1, Kaplunov I.A.1, Egorova K.A.1, Tretiakov S.A.1, Barabanova E.V.1, Rakunov P.A.1
- 
							Afiliações: 
							- Tver State University
 
- Edição: Volume 88, Nº 5 (2024)
- Páginas: 788-793
- Seção: Physics of ferroelectrics
- URL: https://rjeid.com/0367-6765/article/view/654686
- DOI: https://doi.org/10.31857/S0367676524050155
- EDN: https://elibrary.ru/QEMEFJ
- ID: 654686
Citar
Texto integral
 Acesso aberto
		                                Acesso aberto Acesso está concedido
						Acesso está concedido Acesso é pago ou somente para assinantes
		                                							Acesso é pago ou somente para assinantes
		                                					Resumo
The results of experimental studies using optical profilometry and scanning probe microscopy of the structure and surface parameters of germanium single crystals exposed to an alternating magnetic field are presented. The change in parameters of surface roughness and relief of single crystals after treatment by magnetic field was found. Using optical spectroscopy, a decrease in transmittance in the range of 1.8—23 μm was established, due to the influence of an alternating magnetic field, leading to a change in the surface topography.
Texto integral
 
												
	                        Sobre autores
K. Marinicheva
Tver State University
														Email: Ivanova.AI@tversu.ru
				                					                																			                												                	Rússia, 							Tver						
A. Ivanova
Tver State University
							Autor responsável pela correspondência
							Email: Ivanova.AI@tversu.ru
				                					                																			                												                	Rússia, 							Tver						
I. Kaplunov
Tver State University
														Email: Ivanova.AI@tversu.ru
				                					                																			                												                	Rússia, 							Tver						
K. Egorova
Tver State University
														Email: Ivanova.AI@tversu.ru
				                					                																			                												                	Rússia, 							Tver						
S. Tretiakov
Tver State University
														Email: Ivanova.AI@tversu.ru
				                					                																			                												                	Rússia, 							Tver						
E. Barabanova
Tver State University
														Email: Ivanova.AI@tversu.ru
				                					                																			                												                	Rússia, 							Tver						
P. Rakunov
Tver State University
														Email: Ivanova.AI@tversu.ru
				                					                																			                												                	Rússia, 							Tver						
Bibliografia
- Alshits V.I., Darinskaya E.V., Koldaev M.V., Petrzhik E.A. // Dislocations in Solids. V. 14. Amsterdam: Elsevier, 2008. P. 333.
- Югова Т.Г., Белов А. Г., Князев С.Н. // Кристаллография. 2020. Т. 65. № 1. С. 11; Yugova T. G., Belov A.G., Knyazev S.N. // Crystallogr. Rep. 2020. V. 65. No. 1. P. 7.
- Левин М.Н., Постников В.В., Палагин М.Ю., Косцов А.М. // ФТТ. 2003. Т. 45. № 3. С. 513; Levin M.N., Postnikov V.V., Palagin M.Y., Kostsov A.M. // Phys. Solid State. 2003. V. 45. No. 3. P. 542.
- Гриднев С.А., Дрождин К.С., Шмыков В.В. // Кристаллография. 1997. Т. 42. № 6. С. 1135; Gridnev S.A., Drozhdin K.S., Shmykov V.V. // Crystallogr. Rep. 1997. V. 42. No. 6. P. 1058.
- Постников В.В. Фазовые и структурные превращения в диамагнитных материалах после воздействия слабых магнитных полей. Дисс. … доктора физ.-мат. наук. Воронеж: Воронежский гос. ун-т, 2004. 338 с.
- Волчков И.С., Ополченцев А.М., Павлюк М.Д., Каневский В.М. // Кристаллография. 2018. Т. 63. № 5. C. 746; Volchkov I.S., Opolchentsev A.M., Pavlyuk M.D., Kanevsky V.M. // Crystallogr. Rep. 2018. V. 63. No. 5. P. 765.
- Левин М.Н., Татаринцев А.В., Косцова О.А., Косцов А.М. // Журн. технич. физики. 2003. Т. 73. № 10. С. 85; Levin M.N., Tatarintsev A.V., Kostsova O.A., Kostsov A.M. // Tech. Phys. 2003. V. 48. No. 10. P. 1304.
- Макара В.А., Васильев М.А., Стебленко Л.П. и др. // Физ. и техн. полупроводн. 2008. Т. 42. № 9. С. 1061; Makara V.A., Vasiliev M.A., Steblenko L.P. // Semiconductors. 2008. V. 42. P. 1044.
- Левин М.Н., Зон Б.А. // ЖЭТФ. 1997. Т. 111. № 4. С. 1373; Levin M.N., Zon B.A. // JETP. 1997. V. 84. P. 760.
- Гречкина М.В., Бормонтов Е.Н. // Конден. среды и межфаз. границы. 2017. Т. 19. № 1. С. 133.
- Иванова А.И., Свешников П.А., Мариничева К.А. и др. // Физ.-хим. асп. изуч. кластер. нанострукт. и наноматер. 2022. № 14. С. 120.
- Каплунов И.А., Рогалин В.Е // Фотоника. 2019. Т. 13. № 1. С. 88.
- Малышкина О.В., Каплунов И.А., Гавалян М.Ю. // Изв. РАН. Сер. физ. 2016. Т. 80. № 8. С. 1104; Malyshkina O.V., Kaplunov I.A., Ghavalyan M.Y. // Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 2016. V. 80. No. 8. P. 1013.
- Калинушкин В.П. // Труды ИОФ РАН. 1986. Т. 4. С. 3.
Arquivos suplementares
 
				
			 
						 
						 
					 
						 
						 
									

 
  
  
  Enviar artigo por via de e-mail
			Enviar artigo por via de e-mail 



