Dielectric and thermal properties of potassium nitrate–carbon nanotubes composites
- Авторлар: Milinskiy A.Y.1, Chernechkin I.A.1,2, Baryshnikov S.V.1,2
- 
							Мекемелер: 
							- Blagoveshchensk State Pedagogical University
- Amur State University
 
- Шығарылым: Том 87, № 9 (2023)
- Беттер: 1337-1342
- Бөлім: Articles
- URL: https://rjeid.com/0367-6765/article/view/654619
- DOI: https://doi.org/10.31857/S0367676523702356
- EDN: https://elibrary.ru/OLQTBL
- ID: 654619
Дәйексөз келтіру
Аннотация
The results of a study of composites obtained by mixing potassium nitrate and carbon nanotubes are discussed. It has been shown that the effects of the interaction of the composite components lead to the expansion of the temperature range of the existence of the ferroelectric phase of potassium nitrate from 22 K for KNO3 to 38 K for a composite with a carbon nanotubes content of 2.0 vol % percent.
Авторлар туралы
A. Milinskiy
Blagoveshchensk State Pedagogical University
							Хат алмасуға жауапты Автор.
							Email: a.milinskiy@mail.ru
				                					                																			                												                								Russia, 675004, Blagoveshchensk						
I. Chernechkin
Blagoveshchensk State Pedagogical University; Amur State University
														Email: a.milinskiy@mail.ru
				                					                																			                												                								Russia, 675004, Blagoveshchensk; Russia, 675027, Blagoveshchensk						
S. Baryshnikov
Blagoveshchensk State Pedagogical University; Amur State University
														Email: a.milinskiy@mail.ru
				                					                																			                												                								Russia, 675004, Blagoveshchensk; Russia, 675027, Blagoveshchensk						
Әдебиет тізімі
- Yanga L., Konga X., Lib F. et al. // Progr. Mater. Sci. 2019. V. 102. P. 72.
- Shkuratov S. I., Lynch C. S. // J. Materiomics. 2022. V. 8. P. 739.
- Huang X., Jiang P., Xie L. // Appl. Phys. Lett. 2009. V. 95. No. 24. Art. No. 242901.
- Fan B., Zhou M., Zhang C. et al. // Mater. Res. Express. 2019. V. 6. Art. No. 075071.
- Zhang Q.M., Li H.F., Poh M. et al. // Nature. 2002. V. 419. P. 284.
- Верховская К.А., Ларюшкин А.С., Савельев В.В. и др. // ЖТФ. 2014. Т. 84. № 8. С. 61; Verkhovskaya K.A., Laryushkin A.S., Savel’ev V.V. et al. // Tech. Phys. 2014. V. 84. No. 8. P. 122.
- Nguyen H.T. // Appl. Phys. A. 2022. V. 128. P. 1032.
- Chen A., Chernow F. // Phys. Rev. 1967. V. 154. P. 493.
- Deshpande V.V., Karkhanavala M.D., Rao. U.R.K. // J. Therm. Analyt. Calorim. 1974. V. 6. P. 613.
- Елецкий А.В. // УФН. 2002. Т. 172. № 4. С. 401; Eletskii A.V. // Phys. Usp. 2002. V. 45. P. 369.
- Милинский А.Ю., Барышников С.В., Стукова Е.В. и др. // ФТТ. 2021. Т. 63. № 6. С. 767; Milinskii A.Yu., Baryshnikov S.V., Stukova E.V. et al. // Phys. Solid State. 2021. V. 63. P. 872.
- Yanga Q., Caob J., Zhoua Y. et al. // Acta Materialia. 2016. V. 112. P. 216.
- Fridkin V.M. Ferroelectric semiconductors. N.Y.: Plenum Publishing Corporation, 1980.
- Iwamoto M. / In: Encyclopedia of nanotechnology. Springer, 2012.
Қосымша файлдар
 
				
			 
						 
					 
						 
						 
						

 
  
  
  Мақаланы E-mail арқылы жіберу
			Мақаланы E-mail арқылы жіберу 
 Ашық рұқсат
		                                Ашық рұқсат Рұқсат берілді
						Рұқсат берілді Рұқсат ақылы немесе тек жазылушылар үшін
		                                							Рұқсат ақылы немесе тек жазылушылар үшін
		                                					



