Синтез сульфида галлия (II)

Синтез сульфида галлия (II) проводили из элементарных веществ в замкнутом объеме двухтемпературным способом. Пассивацию поверхности галлия в парах серы наблюдали вплоть до температуры 1623 К. Контролируемое протекание химической реакции проводили в атмосфере водорода при его парциальном давлении 1300–2600 Па. Аналогичных результатов удалось добиться в вакууме с использованием фотокатализа при облучении реакционного объема ампулы ультрафиолетовым излучением с длиной волны в диапазоне 240–320 нм с мощностью лучистого потока 24.6 Вт. В обоих случаях при температуре 1323–1373 К время синтеза сульфида галлия (II) занимало не более 30 мин при массе загрузки 100 г. Для характеристики кристаллического сульфида галлия (II) методом порошковой рентгеновской дифракции применяли метод Ритвельда. Результаты анализа показали, что продуктом химической реакции являются однофазные образцы GaS. Предложенное решение проблемы пассивации поверхности расплава галлия для олигомеров серы с точки зрения квантовой электродинамики позволило значительно снизить энергетические затраты и повысить эффективность синтеза особо чистого сульфида галлия (II) для его дальнейшего использования в производстве халькогенидных стекол.