Анализ поверхности термоэмиттеров ионными и электронными пучками

Обложка

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

Исследованы температурные зависимости состава внешних моноатомных слоев поверхности термоэмиттеров: оксидного, скандатного, торированного вольфрамового и карбидных катодов методами рассеяния ионов низких энергий, атомов отдачи, оже-спектроскопии и масс-спектроскопии вторичных ионов. Установлено, что поверхности оксидного, скандатного и вольфрам-ториевого катодов при рабочих температурах содержат моноатомную пленку активного материала (барий, торий), которая формируется на поверхности эмиттера при нагреве до рабочей температуры и растворяется в объеме при снижении температуры до комнатной. В результате активирования происходит накопление свободного бария в объеме кристаллов оксидов. Показано, что на поверхности карбида тантала имеется незначительное увеличение тантала и содержатся чужеродные электроотрицательные адатомы, (кислород, хлор, сера) не удаляемые при температурах 2500 К.

Об авторах

С. С. Волков

Рязанское гвардейское высшее воздушно-десантное ордена Суворова дважды Краснознаменное командное училище им. генерала армии В.Ф. Маргелова

Автор, ответственный за переписку.
Email: volkovstst@mail.ru
Россия, Рязань

Т. И. Китаева

АО “Завод цветных металлов и сплавов”

Email: kitaeva_46@mail.ru
Россия, Рязань

С. В. Николин

АО “Плазма”

Email: volkovstst@mail.ru
Россия, Рязань

Список литературы

  1. Черепин В.Т., Васильев М.А. Методы и приборы для анализа поверхностей материалов. Киев: Наукова думка, 1982. 399 с.
  2. Зигбан К., Нордлинг К., Фальман А., Нордберг Р., Хамрин К., Хедман Я., Йоханссон Г., Бергмарк Т., Карлссон С., Линдгрен И., Линдберг Б. Электронная спектроскопия. / Ред. Боровский И.: Мир, 1971. 493 с.
  3. Электронная и ионная спектроскопия твердых тел. / Ред. Раховский В.: Мир, 1981. 467 с.
  4. Протопопов О.Д., Полонский Б.А. // Обзоры по электронной технике. Сер. 7. Технология производство и оборудование. 1986. Вып. 9. С. 84.
  5. Волков С.С., Шевченко Н.П. Физико-аналитические методы диагностики элементного состава и структуры материалов. Рязань: РВАИ, 2008. 311 с.
  6. Герасименко Н.Н., Пархоменко Ю.Н. Кремний — материал наноэлектроники. М.: Техносфера, 2007. 352 с.
  7. Киселев А.Б. Металлооксидные катоды электронных приборов. М.: Изд-во МФТИ, 2002. 240 с.
  8. Технология СБИС. Книга 1. / Ред. Зи : Мир, 1986. 404 с.
  9. Щука А.А. Наноэлектроника. М.: Лаборатория знаний, 2019. 342 с.
  10. Черепин В.Т. Ионный зонд. Киев: Наукова думка, 1981. 321 с.
  11. Протопопов О.Д. // Обзоры по электронной технике. Сер. 7. Технология производство и оборудование. 1985. Вып. 10. С. 74.
  12. Анализ поверхности методами оже- и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии / Ред. Бриггс Д., Сих М.: Мир, 1987. 600 с.
  13. Курнаев В.А., Машкова Е.С., Молчанов В.А. Отражение легких ионов от поверхности твердого тела. М.: Атомиздат, 1985. 192 с.
  14. Шуппе Г.Н. Вопросы электронных и ионных эмиссий (виды эмиссий). Учебное пособие. / Ред. Овсянникова Н.П. Рязань: РГРТА, 2006. 84 с.
  15. Binning G., Rohrer Y. // IBMJ. Res. Develop. 1986. V. 30. № 4. P. 355.
  16. Вольф Е.Л. Принципы электронной туннельной спектроскопии. Киев: Наукова думка, 1990. 454 с.
  17. Андронов А.Н., Пронина Н.А. Изучение структуры поверхности методом дифракции медленных электронов (ДМЭ): Учебное пособие. СПб.: Изд-во СПбГТУ, 1997. 45 с.
  18. Волков С.С., Денисов А.Г., Кратенко В.И., Сенькин И.Ф., Толстогузов А.Б., Протопопов О.Д., Шагимуратов Г.И. // Электронная промышленность. 1990. № 10. С. 13.
  19. Волков С.С., Гутенко В.Т., Дмитревский Ю.Е., Толстогузов А.Б., Трухин В.В. // Электронная промышленность. 1987. Вып. 5 (163). С. 42.
  20. Аристархова А.А., Волков С.С., Гутенко В.Т., Дмитревский Ю.Е., Карманов О.Н., Кратенко В.И., Ляпин В.М., Протопопов О.Д., Сергеев Н.Н. // Приборы и техн. экспер. 1993. № 1. С. 217.
  21. Аристархова А.А., Волков С.С., Тимашев М.Ю. // Приборы и техн. эксперим. 1994. № 2. С. 91.
  22. Aristarkchova A.A., Volkov S.S., Gutenko V.T., Dmitrevsky Yu.Ye., Karmanov O.N., Kratenko V.I., Lyapin V.M., Protopopov O.D., Sergeev N.N. // IET. 1993. V. 36. № 1. P. 158.
  23. 23 Аристархова А.А., Волков С.С., Дмитревский Ю.Е., Исаева Т.Н. // Поверхность. 1994. № 4. С. 66.
  24. Волков С.С., Денисов А.Г., Кратенко В.И., Сенькин И.Ф., Толстогузов А.Б., Протопопов О.Д., Шагимуратов Г.И. // Электронная промышленность. 1990. № 10. С. 13.
  25. Tolstogouzov A.B., Kitaeva T.I., Volkov S.S. // Microchimica Acta. 1994. V. 114/115. P. 505.
  26. Volkov S.S., Doroshina N.V., Sergachev A.A., Tolstogousov A.B., Fetisov S.A. // IET. 1993. V. 36. № 5. P. 793.
  27. Никонов Б.П. Оксидный катод. М.: Энергия, 1979. 240 с.
  28. Zalm P. // Adv. Termionic Electron Phys. 1968. V. 25. P. 211.
  29. Киттель Ч. Введение в физику твердого тела. Учебное руководство. / Ред. Гусев А.: Наука, 1978. 791 с.
  30. Блейкмор Дж. Физика твердого тела. / Ред. Андрианов Д.Г., Фистуль В.: Мир, 1988. 608 с.
  31. Никонов Б.П. // Известия АН СССР. Сер. физическая. 1971. Т. 35. Вып. 2. С. 270.
  32. Капустин В.И., Ли И.П. Теория, электронная структура и физикохимия материалов катодов СВЧ приборов. М.: ИНФРА-М, 2020. 370 с.
  33. Мойжес Б.Я. Физические процессы в оксидном катоде. М.: Наука, 1968. 480 с.
  34. Мак Лин Д. Границы зерен в металлах. М.: Металлургиздат, 1960. 322 с.
  35. Волков С.С., Толстогузов А.Б. // Обзоры по электронной технике. Сер. 7. Технология и организация пр-ва и оборудование. 1981. Вып. 15. С. 79.
  36. Haas G.A., Shih A., Thomas R.E. // Appl. Surf. Sci. 1979. V. 2. № 2. P. 293.
  37. Shih A., Haas G.A. // Appl. Surf. Sci. 1979. V. 2. № 2. P. 293.
  38. Кульварская Б.С. // Атомная энергия. 1966. Т. 21. Вып. 25. С. 368.

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML
Скачать

© Российская академия наук, 2024