Informaçao sobre o Autor
Колесников, Н. Н.
| Edição | Seção | Título | Arquivo |
| Volume 54, Nº 2 (2025) | MEMRISTORS | Multilevel switchings in memristive structures based on oxidized lead selenide |
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Palavras-chave
Förster effect
atomic layer deposition
charge qubit
dissociation
etching
fluorine atoms
fluorocarbon gases
gas temperature
ionization
kinetics
magnetron sputtering
mechanism
memristor
modeling
molecular beam epitaxy
plasma
polymerization
quantum dot
reduced electric field strength
resistive switching
silicon
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Volume 54, Nº 2 (2025)
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charge qubit
dissociation
etching
fluorine atoms
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plasma
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