Mikroèlektronika
ISSN 0544-1269 (Print)
Мәзір
Мұрағат
Бастапқы
Журнал туралы
Редакция тобы
Редакция саясаты
Авторларға арналған ережелер
Журнал туралы
Шығарылымдар
Іздеу
Ағымдағы шығарылым
Ретракцияланған мақалалар
Мұрағат
Байланыс
Жазылу
Барлық журналдар
Пайдаланушы
Пайдаланушының аты
Құпиясөз
Мені есте сақтау
Құпия сөзді ұмыттыңыз ба?
Тіркеу
Хабарламалар
Қарау
Тіркелу
Іздеу
Іздеу
Іздеу аумағы
Барлығы
Авторлар
Атауы
Түйіндеме
Терминдер
Толық мәтін
Парақтау
шығарылымдар
Автор бойынша
атаулары бойынша
бөлімдер бойынша
басқа журналдар
Категориялар
Ақпарат
Оқырмандар үшін
Авторларға
Кітапханалар үшін
Жазылу
Жазылымды тексеру үшін жүйеге кіріңіз
Кілтсөздер
Förster effect
bipolar transistor
diagnostics
etching
gas temperature
ionization
kinetics
magnetron sputtering
mechanism
memristor
modeling
molecular beam epitaxy
plasma
polymerization
powerful LDMOS
quantum dot
reduced electric field strength
resistive switching
silicon
silicon-on-insulator technology
specific power
Ағымдағы шығарылым
Том 54, № 4 (2025)
×
Пайдаланушы
Пайдаланушының аты
Құпиясөз
Мені есте сақтау
Құпия сөзді ұмыттыңыз ба?
Тіркеу
Хабарламалар
Қарау
Тіркелу
Іздеу
Іздеу
Іздеу аумағы
Барлығы
Авторлар
Атауы
Түйіндеме
Терминдер
Толық мәтін
Парақтау
шығарылымдар
Автор бойынша
атаулары бойынша
бөлімдер бойынша
басқа журналдар
Категориялар
Ақпарат
Оқырмандар үшін
Авторларға
Кітапханалар үшін
Жазылу
Жазылымды тексеру үшін жүйеге кіріңіз
Кілтсөздер
Förster effect
bipolar transistor
diagnostics
etching
gas temperature
ionization
kinetics
magnetron sputtering
mechanism
memristor
modeling
molecular beam epitaxy
plasma
polymerization
powerful LDMOS
quantum dot
reduced electric field strength
resistive switching
silicon
silicon-on-insulator technology
specific power
Ағымдағы шығарылым
Том 54, № 4 (2025)
Бастапқы
>
Іздеу
>
Автор туралы ақпарат
Автор туралы ақпарат
Фадеев, А. В.
Шығарылым
Бөлім
Атауы
Файл
Том 53, № 4 (2024)
MEMRISTORS
Evolution of the Current-Voltage Characteristic of a Bipolar Memristor
Том 52, № 4 (2023)
TECHNOLOGIES
Mechanisms of the Redistribution of Carbon Contamination in Films Formed by Atomic Layer Deposition
Том 54, № 3 (2025)
MEMRISTORS
Stabilization of memristor cell states during initial switching process after forming
TOP