Морфология поверхности различных матриц с цирконийоксидными покрытиями, синтезированными путем попеременной обработки поверхности парами трет-бутоксида циркония(IV) и воды
- Авторы: Москалев А.В.1, Антипов В.В.1, Ципанова А.С.1, Малыгин А.А.1
- 
							Учреждения: 
							- Санкт-Петербургский государственный технологический институт (технический университет)
 
- Выпуск: Том 94, № 1 (2024)
- Страницы: 122-135
- Раздел: Статьи
- URL: https://rjeid.com/0044-460X/article/view/667252
- DOI: https://doi.org/10.31857/S0044460X24010117
- EDN: https://elibrary.ru/HKLPHA
- ID: 667252
Цитировать
Полный текст
 Открытый доступ
		                                Открытый доступ Доступ предоставлен
						Доступ предоставлен Доступ платный или только для подписчиков
		                                							Доступ платный или только для подписчиков
		                                					Аннотация
Цирконийоксидные покрытия различной толщины на поверхности пластин монокристаллического кремния, боросиликатного стекла и сапфировых волокон синтезированы путем попеременной обработки парами трет-бутоксида циркония(IV) и воды при 220°С. С применением атомно-силовой микроскопии исследовано влияние числа циклов обработки матрицы на морфологию поверхности полученных образцов. Методом рентгеноспектрального микроанализа определены концентрации циркония в продуктах синтеза и проведена оценка постоянной роста цирконийоксидного покрытия на кремнии. Проведены сравнительные исследования морфологии поверхности образцов монокристаллического кремния, боросиликатного стекла и сапфировых волокон с разной толщиной синтезированных покрытий.
Полный текст
 
												
	                        Об авторах
А. В. Москалев
Санкт-Петербургский государственный технологический институт (технический университет)
							Автор, ответственный за переписку.
							Email: alexmosk2015@gmail.com
				                					                																			                												                	Россия, 							Санкт-Петербург						
В. В. Антипов
Санкт-Петербургский государственный технологический институт (технический университет)
														Email: alexmosk2015@gmail.com
				                					                																			                												                	Россия, 							Санкт-Петербург						
А. С. Ципанова
Санкт-Петербургский государственный технологический институт (технический университет)
														Email: alexmosk2015@gmail.com
				                	ORCID iD: 0000-0002-3510-5051
				                																			                												                	Россия, 							Санкт-Петербург						
А. А. Малыгин
Санкт-Петербургский государственный технологический институт (технический университет)
														Email: alexmosk2015@gmail.com
				                	ORCID iD: 0000-0002-1818-7761
				                																			                												                	Россия, 							Санкт-Петербург						
Список литературы
- Федоров П.П., Яроцкая Е.Г. // КСиМГ. 2021. Т. 23. Вып. 2. С. 169.
- Balakrishnan G., Kuppusami P., Sastikumar D., Song J.I. // Nanoscale Res. Lett. 2013. Vol .8. N 1. P. 1. doi: 10.1186/1556-276X-8-82
- Kukli K., Ritala M., Leskelä M. // Chem. Vapor Depos. 2000. Vol. 6. N 6. P. 297. doi: 10.1002/1521-3862(200011)6:6<297::AID-CVDE297>3.0.CO;2-8
- Kukli K., Kemell M., Castán H., Dueñas S., Seemen H., Rähn M., Link J., Stern R., Heikkilä M.J., Ritala M. // ECS J. Solid State Sci. Technol. 2018. Vol. 7. N 5. P. 287. doi: 10.1149/2.0021806jss
- James C., Xu R., Jursich G., Takoudis C.G. // J. Undergrad. Res. Un. Illinois Chicago. 2012. Vol. 5. N 1. P. 1. doi: 10.5210/jur.v5i1.7505
- Малыгин А.А., Антипов В.В., Кочеткова А.С., Буймистрюк Г.Я. // ЖПХ. 2018. Т. 91. Вып. 1. С. 17; Malygin A.A., Antipov V.V., Kochetkova A.S., Buimistryuk G.Y. // Russ. J. Appl. Chem. 2018. Vol. 91. N 1. P. 12. doi: 10.1134/S1070427218010032
- Соснов Е.А., Малков А.А., Малыгин А.А. // ЖПХ. 2021. Т. 94. Вып. 8. C. 967; Sosnov E.A., Malkov A.A., Malygin A.A. // Russ. J. Appl. Chem. 2021. Vol. 94. N 8. P. 1022. doi: 10.1134/S1070427221080024
- Малыгин А.А. // Рос. нанотехнол. 2007. Т. 2. Вып. 3–4. С. 87.
- Oviroh P.O., Akbarzadeh R., Pan D., Coetzee R.A.M., Jen T.C. // Sci. Technol. Adv. Mater. 2019. Vol. 20. N 1. P. 465. doi: 10.1080/14686996.2019.1599694
- Chen Z., Prud'homme N., Wang B., Ribot P., Ji V. // Surf. Coat. Technol. 2013. Vol. 218. P. 7.
- Torres-Huerta A.M., Dominguez-Crespo M.A., Onofre-Bustamante E., Flores-Vela A. // J. Mater. Sci. 2011. Vol. 47 N 5. P. 2300.
- Jones A.C., Aspinall H.C., Chalker P.R., Potter R.J., Manning T.D., Loo Y.F., O’Kane R., Gaskell J.M., Smith L.M. // Chem. Vapor Depos., 2006. Vol. 12. N 2–3. P. 83. doi: 10.1002/cvde.200500023
- Nakajima A., Kidera T., Ishii H., Yokoyama S. // Appl. Phys. Lett. 2002. Vol. 81. N 15. P. 2824. doi: 10.1063/1.1510584
- Matero R., Ritala M., Leskelä M., Jones A.C., Williams P.A., Bickley J.F., Steiner A., Leedham T.J., Davies H.O. // J. Non-Cryst. Solids. 2002. Vol. 303. N 1. P. 24. doi: 10.1016/S0022-3093(02)00959-6
- Cameron M.A., George S.M. // Thin Solid Films. 1999. Vol. 348. N 1–2. P. 90. doi: 10.1016/S0040-6090(99)00022-X
- Burleson D.J., Roberts J.T., Gladfelter W.L., Campbell S.A., Smith R.C. // Chem. Mater. 2002. Vol. 14. N 3. P. 1269. doi: 10.1021/cm0107629
- Hausmann D.M., Kim E., Becker J., Gordon R.J. // Chem. Mater. 2002. Vol. 14. N 10. P. 4350. doi: 10.1021/cm020357x
- Kim Y., Koo J., Han J., Choi S., Jeon H., Park C.G. // J. Appl. Phys. 2002. Vol. 92. N 9. P. 5443. doi: 10.1063/1.1513196
- Kröger-Laukkanen M., Peussa M., Leskelä M., Niinistö L. // Appl. Surf. Sci. 2001. Vol. 183. N 3–4. P. 290. doi: 10.1016/S0169-4332(01)00573-6
- Niinistö J., Putkonen M., Niinistö L. // J. Appl. Phys. 2004. Vol. 95. N 1. P. 84. doi: 10.1063/1.1630696
- Copel M., Gribelyuk M., Gusev E. // Appl. Phys. Lett. 2000. Vol. 76. N 4. P. 436. doi: 10.1063/1.12577
- Kukli K., Ritala M., Leskelä M. // J. Appl. Phys. 2002. Vol. 92. N 4. P. 1833. doi: 10.1063/1.1493657
- Kytökivi A., Lakomaa E.L., Root A., Österholm H., Jacobs J.P., Brongersma H.H. // Langmuir. 1997. Vol. 13. N 10. P. 2717. doi: 10.1021/la961085d
- Kytökivi A., Lakomaa E.L., Root A. // Langmuir. 1996. Vol. 12. N 18. P. 4395. doi: 10.1021/la960198u
- Bradley D.C., Wardlaw W. // J. Chem. Soc. 1951. P. 280.
- Merck Database. https://www.sigmaaldrich.com/AL/en/product/aldrich/560030
- Антипов В.В., Беляев А.П., Малыгин А.А., Рубец В.П., Соснов Е.А. // ЖПХ. 2008. Т. 81. Вып. 12. С. 1937; Antipov V.V., Belyaev A.P., Malygin A.A., Rubets V.P., Sosnov E.A. // Russ. J. Appl. Chem. Vol. 81. N 12. P. 2051. doi: 10.1134/S107042720812001X
- Химическая энциклопедия / Под ред. И.Л. Кнунянца. М.: Советская энциклопедия, 1990. Т. 2. С. 761.
Дополнительные файлы
 
				
			 
						 
						 
						 
					 
						 
									

 
  
  
  Отправить статью по E-mail
			Отправить статью по E-mail 










