Поглощение света в дихалькогенидах переходных металлов в скрещенных полях
- Авторы: Магарилл Л.И.1,2, Чаплик А.В.1,2
- 
							Учреждения: 
							- Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук
- Новосибирский государственный университет
 
- Выпуск: Том 164, № 5 (2023)
- Страницы: 805-809
- Раздел: Статьи
- URL: https://rjeid.com/0044-4510/article/view/653620
- DOI: https://doi.org/10.31857/S0044451023110111
- EDN: https://elibrary.ru/PKCVLM
- ID: 653620
Цитировать
Полный текст
 Открытый доступ
		                                Открытый доступ Доступ предоставлен
						Доступ предоставлен Доступ платный или только для подписчиков
		                                							Доступ платный или только для подписчиков
		                                					Аннотация
Найдены точные аналитические выражения для спектра и волновых функций электронов в монослое дихалькогенидов переходных металлов в скрещенных электрическом и магнитном полях. Рассчитана зависимость интенсивности межзонных переходов от электрического поля. Долинная селективность межзонного поглощения существенно зависит от электрического поля и может многократно менять знак при его увеличении.
Об авторах
Л. И. Магарилл
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук;Новосибирский государственный университет
														Email: levm@isp.nsc.ru
				                					                																			                												                								630090, Novosibirsk, Russia; 630090, Novosibirsk, Russia						
А. В. Чаплик
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук;Новосибирский государственный университет
							Автор, ответственный за переписку.
							Email: chaplik@isp.nsc.ru
				                					                																			                												                								630090, Novosibirsk, Russia; 630090, Novosibirsk, Russia						
Список литературы
- А. Г. Аронов, ФТТ 5, 552 (1963), A. G. Aronov and G. E. Pikus, Sov. Phys. JETP 24, 339 (1967)
- Zh. Eksp. Teor. Fiz. 51, 505 (1966).
- F. Rose, M. O. Goerbig, and F. Piechon, Phys. Rev. B 88, 125438 (2013).
- M. Tahir and P. Vasilopoulos, Phys. Rev. B 94, 045415 (2016).
- G. Catarina, J. Have, J. Fernandez-Rossier, and N. M. R. Peres, Phys. Rev. B 99, 125405 (2019).
- Nguyen D. Hien, Chuong V. Nguyen, Nguyen N. Hieu, S. S. Kubakaddi, C. A. Duque, M. E. Mora-Ramos, Le Dinh, Tran N. Bich, and Huynh V. Phuc, Phys. Rev. B 101, 045424 (2020).
- Di Xiao, Gui-Bin Liu, Wanxiang Feng, Xiaodong Xu, and Wang Yao, Phys.Rev.Lett. 108, 196802 (2012).
- A. Kormanyos, G. Burkard, M. Gmitra, J. Fabian, V. Zolyomi, N. D. Drummond, and V. Falko, 2D Materials 2, 022001 (2015).
- В. Г. Багров, В. А. Бордовицын, Известия ТПИ 156, 215 (1969).
- Ting Cao, Gang Wang, Wenpeng Han, Huiqi Ye, Chuanrui Zhu, Junren Shi, Qian Niu, Pingheng Tan, Enge Wang, Baoli Liu, and Ji Feng, Nat.Commun. 3, 887 (2012).
Дополнительные файлы
 
				
			 
						 
						 
						 
					 
						 
									

 
  
  
  Отправить статью по E-mail
			Отправить статью по E-mail 

