Кинетика роста квантовых кристаллов 4He при температуре 0.1-0.2 k
- Авторы: Гусев Р.Б.1, Цымбаленко В.Л.2
- 
							Учреждения: 
							- Институт физических проблем им. П. Л. Капицы Российской академии наук
- Национальный исследовательский центр «Курчатовский институт»
 
- Выпуск: Том 164, № 5 (2023)
- Страницы: 752-760
- Раздел: Статьи
- URL: https://rjeid.com/0044-4510/article/view/653614
- DOI: https://doi.org/10.31857/S0044451023110056
- EDN: https://elibrary.ru/PNJPQQ
- ID: 653614
Цитировать
Полный текст
 Открытый доступ
		                                Открытый доступ Доступ предоставлен
						Доступ предоставлен Доступ платный или только для подписчиков
		                                							Доступ платный или только для подписчиков
		                                					Аннотация
Исследована кинетика роста кристаллов 4He, зарожденных в метастабильной жидкости при пересыщениях до 10 мбар, в интервале температур 90-180 мК. Наблюдение за ростом кристаллов и киносъемка проводились в оптическом криостате растворения. Определено граничное пересыщение, разделяющее области нормального (медленного) и аномального (быстрого) роста. Измерена скорость роста граней кристаллов в режиме нормального роста. Исследована кинетика быстрого роста кристаллов в зависимости от пересыщения и температуры.
Об авторах
Р. Б. Гусев
Институт физических проблем им. П. Л. Капицы Российской академии наук
														Email: tek@kapitza.ras.ru
				                					                																			                												                								119334, Moscow, Russia						
В. Л. Цымбаленко
Национальный исследовательский центр «Курчатовский институт»
							Автор, ответственный за переписку.
							Email: tek@kapitza.ras.ru
				                					                																			                												                								123182, Moscow, Russia						
Список литературы
- А. Ф. Андреев, А. Я. Паршин, ЖЭТФ 75, 1511 (1978).
- К. О. Кешишев, А. Я. Паршин, А. В. Бабкин, Письма в ЖЭТФ 30, 63 (1979).
- S. Balibar, H. Alles, and A. Ya. Parshin, Rev. Mod. Phys. 77, 317 (2005).
- Современная кристаллография, под ред. В. К. Вайнштейна, Наука, Москва (1980).
- J. P.Ruutu, P. J. Hakonen, A. V. Babkin, A. Ya. Parshin, J. S. Penttila, J. P. Saramaki, and G. Tvalashvili, Phys. Rev. Lett. 76, 4187 (1996).
- В. Л. Цымбаленко, УФН 185, 1163 (2015).
- V. L. Tsymbalenko, Phys. Lett. A 211, 177 (1996).
- V. L. Tsymbalenko, Phys. Lett. A 248, 267 (1998).
- В. Л. Цымбаленко, ЖЭТФ 119, 1182 (2001).
- V. L. Tsymbalenko, Phys. Lett. A 274, 223 (2000).
- J. P.Ruutu, P. J. Hakonen, A. V. Babkin, A. Ya. Parshin, and G. Tvalashvili, J. Low Temp. Phys. 112, 117 (1998).
- В. Л. Цымбаленко, Письма в ЖЭТФ 77, 288 (2003).
- P. E. Wolf, S. Balibar, F. Gallet, P. Nozieres, and E. Rolley, J. Physique 46, 1987 (1985).
- А. Я. Паршин, В. Л. Цымбаленко, Письма в ЖЭТФ 77, 372 (2003).
- А. Я. Паршин, В. Л. Цымбаленко, ЖЭТФ 130, 319 (2006).
- В. Л. Цымбаленко, Письма в ЖЭТФ 113, 33 (2021).
- V. L. Tsymbalenko, J. Low Temp. Phys. 208, 324 (2022).
- В. Л. Цымбаленко, ФНТ 21, 162 (1995).
- V. L. Tsymbalenko, J. Low Temp. Phys. 195, 153 (2019).
Дополнительные файлы
 
				
			 
						 
						 
						 
					 
						 
									

 
  
  
  Отправить статью по E-mail
			Отправить статью по E-mail 

